本發(fā)明公開了一種集成熱處理工藝的多腔室氮化物材料外延系統(tǒng),屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明能夠有效解決在氮化物材料生長(zhǎng)時(shí),利用異位熱處理系統(tǒng)進(jìn)行退火工藝處理后,二次外延材料外延生長(zhǎng)與高溫?zé)崽幚磉^(guò)程中產(chǎn)生的樣品污染而導(dǎo)致材料質(zhì)量下降的問(wèn)題。該系統(tǒng)包括金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備、物理氣相沉積設(shè)備、高溫?zé)崽幚碓O(shè)備、互聯(lián)系統(tǒng)、源存儲(chǔ)系統(tǒng)、輸運(yùn)系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)和監(jiān)測(cè)與控制系統(tǒng)。本發(fā)明將熱退火工藝與金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝集成在一起,為高溫?zé)崽幚砉に噺V泛應(yīng)用于氮化物材料生長(zhǎng),獲得高質(zhì)量氮化物提供了一種有效方法。
聲明:
“集成熱處理工藝的多腔室氮化物材料外延系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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