本發(fā)明提供了一種單一取向ZnGa
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4薄膜的制備方法,包括以下步驟:以有機(jī)鋅化合物作為鋅源,有機(jī)鎵化合物作為鎵源,以高純氧氣為氧源,利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法在襯底表面沉積ZnGa
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4薄膜。本發(fā)明提供的單一(111)取向ZnGa
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4薄膜的制備方法,其利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù),以有機(jī)鋅化合物作為鋅源,有機(jī)鎵化合物作為鎵源,以高純氧氣為氧源,通過生長溫度、鋅源、鎵源和氧氣流量的精確控制,實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量單一(111)取向尖晶石結(jié)構(gòu)ZnGa
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4薄膜的生長,為實(shí)現(xiàn)高性能日盲紫外光探測器提供了便捷有效的手段。
聲明:
“單一取向鋅鎵氧薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)