本發(fā)明公開了一種In摻雜硫化鋅薄膜及其制備方法和應(yīng)用,采用化學(xué)浴沉積法制備薄膜,屬于非真空化學(xué)氣相沉積,該方法薄膜成份容易控制、制備成本低、適合進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明利用摻入雜質(zhì)的辦法來(lái)降低硫化鋅薄膜的電阻率,測(cè)試表明:當(dāng)在ZnS中摻雜2at.%的In時(shí),薄膜的雜質(zhì)相少、光學(xué)透過(guò)率高(可見(jiàn)光區(qū)的光學(xué)透過(guò)率約為85%)、電阻率低(2.6×105Ωcm)。所制得的ZnS薄膜適用于作為太陽(yáng)電池的緩沖層材料。
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