本發(fā)明公開一種零歐姆柱狀電阻的制備方法,包括以下步驟:S1、采用化學(xué)鍍鎳工藝,在陶瓷基體表面鍍制內(nèi)電阻層,使內(nèi)電阻層阻值小于1Ω;S2、在陶瓷基體兩端壓接帽蓋;S3、采用電鍍鎳工藝,在內(nèi)電阻層表面鍍制外電阻層,外電阻層與內(nèi)電阻層共同構(gòu)成零歐姆柱狀電阻的電阻膜,使電阻膜的阻值小于0.05Ω;S4、在外電阻層表面涂覆絕緣層;S5、在帽蓋表面電鍍錫層,得到所述零歐姆柱狀電阻;本發(fā)明結(jié)合化學(xué)鍍鎳工藝與電鍍鎳工藝,可以快速使鎳層厚度增加,使得外電阻層與內(nèi)電阻層共同構(gòu)成的電阻膜阻值最低可以做到0.01~0.03Ω,可以完全滿足零歐姆電阻測(cè)試小于0.05Ω的要求,且工藝簡(jiǎn)單,成本低廉。
聲明:
“零歐姆柱狀電阻的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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