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MgxZn1-xO薄膜的雙靶射頻磁控共濺射制備方法

1161 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:23:06

MgxZn1－xO薄膜的雙靶射頻磁控共濺射制備方法屬于光電功能材料制造技術領域。已知技術需要根據(jù)所需制備的MgxZn1－xO薄膜的不同，分別制作對應x值的MgxZn1－xO陶瓷靶材，制作工作量大，靶材不一定完全消耗，產(chǎn)生浪費，所制備的MgxZn1－xO薄膜化學計量比偏離MgxZn1－xO陶瓷靶材的化學計量比。本發(fā)明采用雙靶共濺射制備方式，即在兩個濺射靶上分別固定ZnO陶瓷靶材和MgO陶瓷靶材，分別提供濺射功率，同時分別濺射，在襯底上生長MgxZn1－xO薄膜。本發(fā)明可應用于制備具有紫外探測、可見及紫外光發(fā)射作用的半導體光電功能材料MgxZn1－xO薄膜。

聲明：

“MgxZn1-xO薄膜的雙靶射頻磁控共濺射制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)