本發(fā)明提供一種鈰摻雜鉭鈮酸鑭閃爍晶體材料及其制備方法,涉及閃爍晶體技術(shù)領(lǐng)域,該晶體的化學(xué)式為Ce
xLa
1?xTa
yNb
1?yO
4,0.0001≤x≤0.1,0≤y≤1。該晶體為單斜結(jié)構(gòu),空間群為P21/c,熔點(diǎn)在1800℃以上,呈黃色,晶胞參數(shù)、密度、硬度隨著y的取值不同而不同,該類晶體材料穩(wěn)定性高,在空氣中不潮解,并且具有良好的機(jī)械性能。該晶體生長(zhǎng)原料價(jià)格較便宜、晶體物化性能穩(wěn)定,可以采用熔體法晶體生長(zhǎng)方法生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)單晶,本發(fā)明的鈰摻雜鉭鈮酸鑭閃爍晶體作為閃爍探測(cè)器的元部件,可用于高能物理與核物理、超快脈沖輻射探測(cè)、核醫(yī)學(xué)成像、太空高能射線探測(cè)及安全稽查等領(lǐng)域。
聲明:
“鈰摻雜鉭鈮酸鑭閃爍晶體材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)