微波部件表面納米結(jié)構(gòu)抑制二次電子發(fā)射的方法，包括以下步驟：在微波部件基體的良導(dǎo)體層上形成金屬納米結(jié)構(gòu)；選定不同的測試條件，該測試條件包括納米結(jié)構(gòu)的孔隙率、深寬比以及納米結(jié)構(gòu)的形狀；利用蒙特-卡洛方法模擬在不同測試條件下，電子入射在納米結(jié)構(gòu)中的碰撞、吸收及其所產(chǎn)生二次電子的碰撞、吸收和逃逸過程，得到理論上單個納米結(jié)構(gòu)中的二次電子發(fā)射產(chǎn)額；根據(jù)上述二次電子發(fā)射產(chǎn)額規(guī)律，利用多種表面處理工藝調(diào)節(jié)微波部件表面納米結(jié)構(gòu)的形狀，深寬比及孔隙率，使其二次電子發(fā)射產(chǎn)額最小。該方法能夠?qū)⒌?a href="http://www.189000b.com/meet_show-181.html" target="_blank">電化學(xué)銀鍍層表面處理微波部件的微放電閾值大幅度提高；更易于實現(xiàn)高深寬比二次電子陷阱結(jié)構(gòu)，對表面粗糙度的影響一定程度上可以忽略，解決目前大粗糙度結(jié)構(gòu)表面抑制SEY帶來的負(fù)面效應(yīng)。