本發(fā)明公開(kāi)了一種介質(zhì)光柵結(jié)構(gòu)單波長(zhǎng)反射光吸收傳感芯片及其制造方法。該介質(zhì)光柵結(jié)構(gòu)單波長(zhǎng)反射光吸收傳感芯片自下至上依次包括石英襯底、SiO2+TiO2雙層光柵結(jié)構(gòu)和微流通道，其中所述微流通道是扣置鍵合于該SiO2+TiO2雙層光柵結(jié)構(gòu)之上。本發(fā)明提供的這種介質(zhì)光柵結(jié)構(gòu)單波長(zhǎng)反射光吸收傳感芯片及其制造方法，實(shí)現(xiàn)了器件體積的微型化，節(jié)約了化學(xué)試劑；通過(guò)光柵的波長(zhǎng)選擇性反射，采用LED白光光源，就可以實(shí)現(xiàn)寬波長(zhǎng)照明單波長(zhǎng)反射功能，同時(shí)改變光柵結(jié)構(gòu)參數(shù)就可以實(shí)現(xiàn)不同波長(zhǎng)反射，由于光吸收傳感測(cè)試精度與光譜寬度有關(guān)，因此通過(guò)測(cè)量單波長(zhǎng)反射信號(hào)進(jìn)行吸光度測(cè)量有利于提高傳感芯片的靈敏度。