一種敏感電阻壓力傳感器
芯片及加工方法,它包括有:在單晶硅襯底層所加工成的硅膜片,敏感電阻及壓焊點,技術要點是:在硅膜片的內部設置有金剛石敏感電阻,硅膜片與金剛石敏感電阻的側壁間隔一層用于金剛石敏感電阻與襯底之間絕緣的氧化層;金剛石敏感電阻下方與硅膜片之間的連接層為用于敏感電阻與硅膜片隔離本征金剛石。該方法是將經(jīng)清洗的拋光硅片,依次經(jīng)氧化、光刻、刻蝕、化學氣相沉積生長金剛石工藝的組合制備。本發(fā)明所制備的芯片,其傳感器穩(wěn)定性好,可探測高溫下的壓力,同時由于金剛石優(yōu)異的性質,應用于極端條件下的高溫壓力探測。本發(fā)明采用硅作為膜片,金剛石敏感電阻生長在膜片內,避免了應力的過分聚集,也保證了形變量。
聲明:
“敏感電阻壓力傳感器芯片及加工方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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