本發(fā)明涉及一種X射線薄膜窗口電極的制備優(yōu)化方法,包括:根據(jù)電極材料確定X射線能量范圍;根據(jù)特定能量范圍內(nèi)的X射線穿透能力確定至少一個基體層;根據(jù)特定能量范圍內(nèi)的X射線穿透能力確定至少一個導(dǎo)電層;得到導(dǎo)電層覆蓋在基體層上的至少一個復(fù)合層;根據(jù)復(fù)合層的O
2和H
2O透過率確定至少一個復(fù)合層;結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)電極材料的譜學(xué)信號測試確定復(fù)合層的最佳材料和最佳厚度;在復(fù)合層上形成電極層,從而得到X射線薄膜窗口電極。本發(fā)明還涉及一種X射線薄膜窗口電極,包括由基體層、導(dǎo)電層和電極層依次復(fù)合形成的三層復(fù)合結(jié)構(gòu)。本發(fā)明同時兼顧
電化學(xué)及光譜學(xué)測試因素,提出高效的窗口電極復(fù)合結(jié)構(gòu),制定窗口電極的理性優(yōu)化方案。
聲明:
“X射線薄膜窗口電極的制備優(yōu)化方法以及由此得到的X射線薄膜窗口電極” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)