一種提高光刻技術(shù)分辨率的方法,利用光學(xué)原理和光敏材料的光化學(xué)反應(yīng)理論,根據(jù)對(duì)特殊設(shè)計(jì)的掩模版測(cè)試圖形實(shí)際曝光結(jié)果的測(cè)量和模擬計(jì)算得到光刻膠的閾值能量以及光酸生成劑的擴(kuò)散長(zhǎng)度,隨后依據(jù)此數(shù)據(jù)進(jìn)行1~3次曝光、1~2次顯影。本發(fā)明提高了對(duì)光酸擴(kuò)散長(zhǎng)度的控制,并通過(guò)顯影工藝防止了由于光酸的不良分布導(dǎo)致的空間圖像本底提升的問(wèn)題,從而得到更高的空間對(duì)比度,進(jìn)一步提高光刻技術(shù)的分辨率。
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