本發(fā)明提供一種用于在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器中制備
多晶硅的方法,其中,在反應(yīng)器外部的至少一個(gè)反應(yīng)器部件的至少一個(gè)位置,使用測量裝置測量反應(yīng)器的振動(dòng),并且任選地記錄該振動(dòng)。本發(fā)明還提供了一種用于實(shí)施該方法的反應(yīng)器。
聲明:
“用于制備多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)