本實用新型涉及金剛石膜生長領(lǐng)域，尤其涉及一種大面積熱絲化學(xué)氣相沉積(CVD)金剛石薄膜生長裝置。該裝置設(shè)有密閉的反應(yīng)腔體，反應(yīng)腔體內(nèi)的上部設(shè)有氣體噴淋環(huán)，氣體噴淋環(huán)通過管路與外部氣源連接，反應(yīng)腔體的外側(cè)設(shè)有抽真空系統(tǒng)和真空測控系統(tǒng)；氣體噴淋環(huán)下方于反應(yīng)腔體內(nèi)，平行依次布置熱絲、基片、導(dǎo)電層、絕緣層、水冷樣品臺，基片、導(dǎo)電層、絕緣層疊放于水冷樣品臺上，水冷樣品臺通過轉(zhuǎn)軸與外部調(diào)速電機(jī)相連接。本實用新型可以實現(xiàn)在大面積基片上快速、均勻沉積金剛石薄膜電極，減少反應(yīng)氣體的消耗，沉積過程中能測控?zé)峤z的溫度、工件表面的溫度和反應(yīng)腔內(nèi)的壓強(qiáng)，能準(zhǔn)確控制金剛石薄膜沉積各項主要工藝參數(shù)，工藝重復(fù)性好。