揭示了在基片上沉積薄膜用的裝置內(nèi)的暴露面進(jìn)行鈍化的方法。沉積室和與之相通管道的內(nèi)表面經(jīng)鈍化處理而阻止了在沉積工藝中反應(yīng)物和反應(yīng)產(chǎn)物在所述內(nèi)表面上的吸附或化學(xué)吸附。為此目的而進(jìn)行的表面鈍化處理包括表面處理、襯里、溫度調(diào)節(jié)或它們的組合。還揭示了一種測量溫度或溫度范圍的方法,該溫度范圍使得表面上反應(yīng)物和反應(yīng)產(chǎn)物積聚的量最小。也揭示了在沉積室和氣體流通管道內(nèi)表面鈍化的沉積裝置。
聲明:
“沉積室表面增強和最后得到的沉積室” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)