本發(fā)明公開了一種基于導電基底直接生長氮摻雜碳?鈷復合物微片陣列的超級電容器負極及其制備方法,所述負極包括導電基底、N摻雜碳微片,所述導電基底呈多孔狀,所述N摻雜碳微片呈葉片狀并陣列垂直分布于導電基底上,所述N摻雜碳微片包含均勻分布的Co納米粒子。發(fā)明公開的負極結(jié)構(gòu)氮摻雜碳?鈷復合物微片陣列直接生長在導電基底上,其具有很高的電子遷移率,有利于實現(xiàn)快速充放電,將所述負極進行
電化學性質(zhì)測試,在不同的掃速下,所述電極的循環(huán)伏安均顯示相似的矩形形狀,不同的電流密度下充放電曲線均顯示線性特點,其表現(xiàn)了碳材料雙電層特征。在增大電流密度時,所述電極的質(zhì)量比容量變化較小,表明其作為超電容器負極有較好的倍率特性。
聲明:
“基于導電基底直接生長氮摻雜碳?鈷復合物微片陣列的超級電容器負極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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