本發(fā)明公開一種氧化鎵量子點(diǎn),所述氧化鎵量子點(diǎn)為β?氧化鎵,其直徑為5~10nm。該氧化鎵量子點(diǎn)尺寸極小,比表面積較大,在場(chǎng)效應(yīng)晶體管、氣體傳感器以及太陽(yáng)能探測(cè)器的發(fā)展具有積極作用。同時(shí),本發(fā)明還提供了氧化鎵量子點(diǎn)的制備方法,其過(guò)程簡(jiǎn)單,反應(yīng)條件溫和,設(shè)備常規(guī),通過(guò)機(jī)械剪切和化學(xué)處理即可獲得純度高、尺寸均勻的氧化鎵量子點(diǎn)。
聲明:
“氧化鎵量子點(diǎn)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)