本發(fā)明涉及一種新型
稀土Ln-Sialon單晶體及其制備方法,屬于單晶材料和發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以鑭系稀土元素的單質(zhì)Ln、化合物L(fēng)n2O3、LnN和LnX3(其中X選自F、Cl、Br和I,Ln為選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu),Si、Si3N4和SiO2,以及Al、AlN和Al2O3等為原料,也可以選擇添加過(guò)渡金屬(Fe/Co/Ni/Cu/Ag/Au)及含過(guò)渡金屬的化合物為催化劑,在非氧化性氣氛、氣氛壓力1Pa~50MPa、溫度1400℃~2500℃、反應(yīng)時(shí)間0.1小時(shí)~100小時(shí)的條件下,制備得到Ln-Sialon單晶體,其化學(xué)式為L(zhǎng)nSi6-zAl1+zOzN10-z。所述Ln、LnX3、Ln2O3和LnN占總配料的質(zhì)量比為0.1%~99%,Si、Si3N4和SiO2占總配料的質(zhì)量比為0.1%~99%,Al、AlN和Al2O3占總配料的質(zhì)量比為0.1%~99%。制備的Ln-Sialon單晶具有優(yōu)良的力學(xué)性能和熒光性能,可用于白光LED、探測(cè)器陣列、光學(xué)組件和微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)等。
聲明:
“新型稀土Ln-Sialon單晶體及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)