本發(fā)明涉及一種提高電壓的短基區(qū)結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝,包括雙面拋光片步驟、氧化步驟、光刻穿通步驟、進(jìn)行穿通擴(kuò)散步驟、光刻陰極步驟、陰極擴(kuò)散步驟、光刻臺(tái)面槽步驟、化學(xué)腐蝕臺(tái)面槽步驟、玻璃鈍化步驟、光刻引線孔步驟、正面蒸鋁步驟、鋁反刻步驟、
鋁合金步驟、背面噴砂步驟、背面金屬化步驟、
芯片測(cè)試步驟、劃片步驟和芯片包裝步驟,其特征在于:所述進(jìn)行穿通擴(kuò)散步驟和光刻陰極步驟之間增加了進(jìn)行選擇基區(qū)光刻和進(jìn)行選擇型局部短基區(qū)擴(kuò)散步驟。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:可控硅的耐壓得到提高,工藝簡(jiǎn)單,工藝穩(wěn)定、一致性高,大大提高了可控硅的耐壓水平且成品率高,局部擴(kuò)散的短基區(qū)與臺(tái)面槽形成良好的臺(tái)面正角結(jié)構(gòu)。
聲明:
“提高電壓的短基區(qū)結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)