本發(fā)明公開了一種插入層復合結(jié)構(gòu)及其制作方法,涉及寬禁帶材料歐姆接觸形成技術(shù)領(lǐng)域,解決了現(xiàn)有技術(shù)中歐姆接觸電阻率測量可重復性差、器件穩(wěn)定性不強以及在寬禁帶
半導體材料上歐姆接觸形成難、歐姆接觸電阻率高的問題。所述插入層復合結(jié)構(gòu)位于SiC襯底與金屬蓋層之間,包括采用特殊材料形成的電流輸運層和特定元素組分配比的歐姆接觸金屬層;所述電流輸運層位于SiC襯底之上,所述歐姆接觸金屬層位于電流輸運層之上;所述插入層復合結(jié)構(gòu)由所述歐姆接觸金屬層通過合金退火方式形成的特定化學成分配比的碳化物和硅化物擴散進入所述電流輸運層混合而成。本發(fā)明適用于在寬禁帶半導體材料上同時形成P型和N型歐姆接觸,或者單獨形成P型或N型歐姆接觸。
聲明:
“插入層復合結(jié)構(gòu)及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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