本發(fā)明提供了一種制備半導(dǎo)體集成電路器件金屬橫截面樣品的新方法,該方法包括傳統(tǒng)方法中對半導(dǎo)體集成電路器件用樹脂進行鑲嵌,再進行機械研磨拋光,并創(chuàng)新地采用化學(xué)腐蝕,解決了機械研磨拋光后延展性較好的金屬橫截面變形較嚴重的問題。采用該方法制備的樣品可在光學(xué)顯微鏡或掃描電子顯微鏡下準確地測量各層金屬的厚度。本發(fā)明具有成本低、周期短、易操作、無毒害的特點。
聲明:
“制備半導(dǎo)體集成電路器件金屬橫截面樣品的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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