本發(fā)明提供了一種全單模光纖F?P傳感器及其制作方法,采用全單模光纖制作,不需要多次切割并多次熔接光纖,操作簡單,且成本低廉,同時還能減小單模光纖和多模光纖之間的交叉敏感問題;熔接次數(shù)少,有效解決了多次熔接光纖增加了損耗降低了傳感器的機械強度的問題。本發(fā)明采用化學腐蝕方法得到全單模光纖F?P應變傳感器,結構小巧、受溫度影響小,可實現(xiàn)壓力、應變的測量,且減小了交叉敏感問題。 1
聲明:
“全單模光纖F-P傳感器及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)