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六方相硒化銦晶體及其在二階非線性光學(xué)上的應(yīng)用

1008   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:57:00
本發(fā)明公開了一種六方相硒化銦晶體及其在二階非線性光學(xué)上的應(yīng)用,化學(xué)式為In2Se3,分子量為466.52,其單晶屬于六方晶系,空間群為P65,晶胞參數(shù)為:a=b=7.1231(3)?,c=19.393(2)?,α=β=90°,γ=120°,V=852.12(10)?3,Z=6。通過高溫固相法獲得In2Se3晶體,硒化銦晶體展現(xiàn)出了優(yōu)異的非線性光學(xué)性能,In2Se3晶體粉末呈現(xiàn)較大的倍頻效應(yīng),約為AgGaS2的1.5倍,且在2100?nm激光下可實(shí)現(xiàn)相位匹配;其抗激光損傷閾值為AgGaS2的7.3倍,可應(yīng)用在中遠(yuǎn)紅外波段的探測器和激光器的重要器件。
聲明:
“六方相硒化銦晶體及其在二階非線性光學(xué)上的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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