本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法,包括:提供一前端結(jié)構(gòu),所述前端結(jié)構(gòu)包括襯底,位于所述襯底上的字線,位于所述襯底上且分列于所述字線兩側(cè)的控制柵,位于所述控制柵上的字線側(cè)墻,所述字線側(cè)墻暴露出部分所述控制柵;以所述字線側(cè)墻為掩膜刻蝕所述控制柵;以及在暴露出的所述控制柵的側(cè)壁形成一保護(hù)層。本發(fā)明提供的通過在暴露出的控制柵的側(cè)壁形成一保護(hù)層,及時(shí)將控制柵暴露在空氣中的部分保護(hù)起來。避免了控制柵的側(cè)壁因長時(shí)間暴露在空氣中而與控制柵刻蝕后產(chǎn)生化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),破壞控制柵結(jié)構(gòu),進(jìn)而解決了半導(dǎo)體器件擦除失敗以及測試失敗的問題,提高了半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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