本發(fā)明公開(kāi)了一種單晶硅位錯(cuò)密度的無(wú)損檢測(cè)方法，設(shè)置儀器參數(shù)，對(duì)單晶硅片進(jìn)行XRD測(cè)試；獲得該單晶硅片的XRD衍射譜，經(jīng)過(guò)擬合，由該衍射譜獲得衍射峰的半高寬數(shù)據(jù)B；以相同的儀器測(cè)試參數(shù)對(duì)無(wú)位錯(cuò)標(biāo)準(zhǔn)硅樣品進(jìn)行XRD測(cè)試，獲得標(biāo)準(zhǔn)硅樣品的XRD衍射譜，經(jīng)過(guò)擬合，獲得儀器寬化δ；根據(jù)關(guān)系式計(jì)算單晶硅位錯(cuò)導(dǎo)致的物理寬化β；根據(jù)公式ρ=β2/(4.35b2)計(jì)算所測(cè)單晶硅的位錯(cuò)密度。該無(wú)損檢測(cè)方法以XRD測(cè)試方法為基礎(chǔ)、可對(duì)位錯(cuò)密度進(jìn)行定量化測(cè)試表征的理論，實(shí)現(xiàn)單晶硅中位錯(cuò)密度的定量計(jì)算表征。操作簡(jiǎn)單，數(shù)據(jù)處理方便，結(jié)果可靠同時(shí)對(duì)待測(cè)樣品無(wú)損。