本發(fā)明提供了用于確定在某些半導(dǎo)體器件,例如高壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(HVLDMOS)晶體管中摻雜濃度的一種方法。在將該器件施加一個(gè)反向偏置電壓V的同時(shí),利用一束輻射能量(例如通過一個(gè)顯微鏡聚焦到該器件上的一束激光)沿該器件的長(zhǎng)度方向掃描。所得的輻射束感生電流信號(hào)用于測(cè)量給定偏置電壓V下的耗盡層寬度W,該寬度W隨著偏置電壓V的升高而增大。根據(jù)一組電壓值V和對(duì)應(yīng)的寬度值W,利用一個(gè)適合的數(shù)學(xué)算法可以確定相應(yīng)的摻雜濃度N
D的分布。
聲明:
“無損測(cè)量半導(dǎo)體器件的漂移區(qū)的摻雜濃度和分布的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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