本發(fā)明公開了一種基于無損離子遷移的化學電離源質譜裝置,包括:高壓放電區(qū),所述高壓放電區(qū)的一端設有供反應氣體進入的通道;離子分子反應區(qū),與所述高壓放電區(qū)相連通,所述離子分子反應區(qū)的一端還設有供待測物進入的通道;差分真空區(qū),與所述離子分子反應區(qū)相連通;質量分析器,與所述差分真空區(qū)相連通。本發(fā)明以無損離子遷移結構作為離子?分子反應裝置,在有限的空間內延長母體離子的遷移軌跡,增大母體離子與待測物分子的碰撞幾率,從而大幅度提升待測物的離子化效率。
聲明:
“基于無損離子遷移的化學電離源質譜裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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