本發(fā)明公開了一種分離殘余應力的偏振激光散射檢測硅片亞表面損傷的方法,涉及磨削單晶硅片亞表面損傷的無損檢測,其具體特征包括采用線偏振激光散射檢測亞表面損傷,通過調整入射激光偏振方向與磨削表面磨紋的方向夾角,使入射激光的偏振方向與磨紋平行或垂直,消除殘余應力的影響之后進而對亞表面裂紋進行無損檢測;亞表面裂紋檢測完成之后,通過調整入射激光的偏振方向與磨紋的夾角,進而實現(xiàn)對表面殘余應力的檢測。本發(fā)明方法新穎,操作簡單,能夠提高硅片加工亞表面損傷的檢測精度,易實現(xiàn)在線檢測,有利于提高生產效率,是集經(jīng)濟性與實用性為一體的亞表面損傷的無損檢測方法。
聲明:
“偏振激光散射檢測單晶硅片亞表面損傷的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)