本發(fā)明公開了一種快速檢測(cè)II型紅外超晶格界面質(zhì)量的光譜方法和裝置。該裝置包括具有步進(jìn)掃描功能的傅里葉變換紅外測(cè)量系統(tǒng)、作為泵浦光源的激光器、變溫變磁場(chǎng)樣品測(cè)量系統(tǒng)、以及聯(lián)接傅立葉變換紅外光譜儀中探測(cè)器和電路控制板的鎖相放大器、置于變溫變磁場(chǎng)樣品測(cè)量系統(tǒng)和激光器之間光路上的斬波器。本發(fā)明使用上述設(shè)備,通過測(cè)試II型紅外超晶格的光致發(fā)光強(qiáng)度隨磁場(chǎng)的衰減程度,快速檢測(cè)II型紅外超晶格的界面晶格質(zhì)量。通過對(duì)分子束外延生長的紅外波段InAs/GaSb?II型超晶格的測(cè)試表明:本發(fā)明方法是一種快速便捷的檢測(cè)II型超晶格界面的光學(xué)方法,其具有無損靈敏的優(yōu)點(diǎn),非常適用于紅外II型超晶格界面微弱光學(xué)信號(hào)的檢測(cè)。
聲明:
“快速檢測(cè)II型紅外超晶格界面質(zhì)量的光譜方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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