本發(fā)明提供了一種SOI晶圓質(zhì)量檢測方法及系統(tǒng),檢測方法包括如下步驟:提供SOI晶圓,SOI晶圓包括襯底層、埋氧層和半導體層;放置第一壓力探針和第二壓力探針;將第一壓力探針接地,對第二壓力探針施加恒定的第一電壓,對襯底層施加變化的第二電壓;根據(jù)不同第二電壓及所對應的第一電流數(shù)據(jù)提取測試表面遷移率,并與理論表面遷移率進行比對,以評估SOI晶圓的質(zhì)量。本發(fā)明針對SOI晶圓質(zhì)量的快速評估需求,通過對測試結(jié)構(gòu)進行電流電壓測試,提取表面遷移率,與理論值進行比對,揭示了能夠表征SOI晶圓質(zhì)量的電學特性,實現(xiàn)了對SOI晶圓質(zhì)量的無損評估,對于
太陽能電池SOI晶圓的工藝開發(fā)具有重要意義。
聲明:
“SOI晶圓質(zhì)量檢測方法及系統(tǒng)” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)