一種
半導(dǎo)體材料表面光電壓的測量方法,其特征是方法步驟為:(1)準(zhǔn)備需要測量的表面清潔的半導(dǎo)體材料;(2)準(zhǔn)備好開爾文探針系統(tǒng)和照射光源;(3)利用開爾文探針系統(tǒng)測量在光照射前后半導(dǎo)體材料表面電子功函數(shù)的變化曲線圖,讀取光照射前后材料表面的電子功函數(shù)值;(4)計(jì)算得出半導(dǎo)體材料表面光電壓。本發(fā)明的特點(diǎn)是:利用開爾文探針測量半導(dǎo)體材料在光照射前后的電子功函數(shù)變化,從而獲得表面光電壓數(shù)據(jù)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:該測量方法是一種無損檢測方法,具有操作簡單便捷、經(jīng)濟(jì)實(shí)用、數(shù)據(jù)精確等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“半導(dǎo)體材料表面光電壓的測量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)