本申請公開了一種存儲層薄膜厚度測量方法,該方法通過在非存儲器件的層疊結(jié)構(gòu)上蝕刻形成存儲層厚度測量槽,將3D?NAND存儲器的存儲層薄膜厚度的測量轉(zhuǎn)換為厚度測量槽內(nèi)的存儲層薄膜厚度的測量,因厚度測量槽內(nèi)的存儲層薄膜厚度可以通過橢偏光譜儀完成測量,而利用橢偏光譜儀測量薄膜厚度的技術(shù)為非破壞性無損測量技術(shù),從而實現(xiàn)對3D?NAND存儲器中的存儲層薄膜厚度的無損快速測量。
聲明:
“用于3D NAND存儲器的存儲層薄膜厚度測量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)