本發(fā)明公開了一種在鐵磁性薄膜制備過程中對(duì)原位表面磁光克爾效應(yīng)進(jìn)行測(cè)量的系統(tǒng),包括分子束外延系統(tǒng)、具有特殊光路的磁場(chǎng)控制系統(tǒng)、表面磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)和鐵磁性薄膜樣品;具有特殊光路的磁場(chǎng)控制系統(tǒng)與分子束外延系統(tǒng)生長(zhǎng)室的襯底觀察窗口相對(duì)接,表面磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)通過調(diào)試,能夠使入射激光通過磁場(chǎng)控制系統(tǒng)的特殊光路照射到固定在處于生長(zhǎng)位置操作器上的鐵磁性薄膜樣品表面,鐵磁性薄膜樣品表面的反射激光能夠通過磁場(chǎng)控制系統(tǒng)的特殊光路反饋到信號(hào)接收器中。同時(shí)公開了一種在鐵磁性薄膜制備過程中對(duì)原位表面磁光克爾效應(yīng)進(jìn)行測(cè)量的方法。本發(fā)明具有簡(jiǎn)單方便易操作的優(yōu)點(diǎn),可無損傷無影響地實(shí)現(xiàn)原位表面磁光克爾效應(yīng)的測(cè)量。
聲明:
“對(duì)原位表面磁光克爾效應(yīng)進(jìn)行測(cè)量的系統(tǒng)及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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