本發(fā)明公開了一種室溫黑磷太赫茲探測(cè)器及其制備方法。器件結(jié)構(gòu)自下而上依次為：第一層是本征硅襯底、第二層是氧化物層、第三層是黑磷以及搭在黑磷上的非對(duì)稱的蝴蝶形天線和天線兩側(cè)的金屬電極。器件制備步驟是將機(jī)械剝離的黑磷轉(zhuǎn)移到襯底上，運(yùn)用紫外光刻或者電子束曝光方法結(jié)合傾角蒸鍍工藝制備非對(duì)稱的蝴蝶形天線和金屬電極，形成黑磷太赫茲探測(cè)器。當(dāng)太赫茲光照射器件時(shí)，黑磷內(nèi)載流子在賽貝克電動(dòng)勢(shì)驅(qū)動(dòng)下單向運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生響應(yīng)信號(hào)并實(shí)現(xiàn)室溫快速的太赫茲的探測(cè)。該探測(cè)器具有高速、寬頻、高響應(yīng)、高集成度等特點(diǎn)，可以在室溫下對(duì)新鮮的樹葉進(jìn)行無損傷主動(dòng)成像，為實(shí)現(xiàn)室溫太赫茲探測(cè)器大規(guī)模應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。