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c面GaN材料應力沿c軸分布信息的測量方法

1043 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 08:58:38

本發(fā)明公開了一種c面GaN材料應力沿c軸分布信息的測量方法，主要解決現有技術不能用x射線衍射儀獲取應力沿c軸分布的信息的問題。其技術步驟是：將c面GaN材料水平放置于x射線衍射儀的載物臺；依次對GaN材料中的(0002)晶面和(103)晶面進行對光；以不小于50nm的步長減小x射線透射深度，并在各透射深度下獲取(103)晶面的布拉格角；將測得的一組布拉格角代入布拉格方程，得到一組(103)晶面的面間距；根據這一組面間距計算c面GaN材料應力沿c軸分布的信息。本發(fā)明測試成本低，對被測材料無損傷，能獲取一組應力沿c軸的分布信息，可用來分析c面GaN材料應力沿c軸的分布。

聲明：

“c面GaN材料應力沿c軸分布信息的測量方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)