本發(fā)明公開了一種判定晶體管鍵合彈坑的方法,檢測步驟為:1)配氫氧化鈉溶液,放入燒杯,加熱;2)將鍵合好的樣品完全浸入氫氧化鈉溶液中;3)鍵合鋁絲和
芯片表面的鋁完全反應(yīng)掉后,取出,用酒精清洗干凈后,在顯微鏡中觀察;4)觀察清洗后的芯片,在鍵合點(diǎn)位置是否有損傷,如果有損傷,說明當(dāng)前鍵合工序鍵合是有問題的,需要調(diào)整,如無損傷,說明當(dāng)前鍵合工序鍵合是有問題的。本發(fā)明通過化學(xué)方法對樣品進(jìn)行腐蝕解剖,去除芯片表面的鋁層,觀察鋁層下面的硅層狀態(tài)來判斷鍵合質(zhì)量的好壞,檢測步驟簡單,檢測效果好。
聲明:
“判定晶體管鍵合彈坑的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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