本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種硅晶棒的處理方法及切片方法。本發(fā)明公開了硅晶棒的處理方法,包括:對截斷為預(yù)定長度的硅晶棒進(jìn)行滾圓處理,去除所述硅晶棒表面的氧化層;對滾圓處理后的硅晶棒進(jìn)行晶相測定,使用粒度為#200~#600的第一砂輪對硅晶棒進(jìn)行開槽處理,形成槽區(qū);使用粒度為#700~#900的第二砂輪在所述槽區(qū)內(nèi)進(jìn)行精細(xì)研磨;在所述槽區(qū)內(nèi)加入混合酸進(jìn)行腐蝕處理,去除所述槽區(qū)內(nèi)的表面損傷。本發(fā)明還公開了利用上述方法處理硅晶棒后,進(jìn)行多線切割,形成硅片的切片方法。本發(fā)明的硅晶棒處理方法可以形成無損傷的開槽,降低裂片形成幾率。
聲明:
“硅晶棒的處理方法及切片方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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