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用于失效分析的測試結構

864   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:29
本發(fā)明提供一種用于失效分析的測試結構，包括測試單元結構且依次堆疊的第N至第N+m個半導體結構層；第N個半導體結構層的引線端部設有通孔接觸點；第N+1至第N+m個半導體結構層的引線端部設有金屬塊，第N個半導體結構層的通孔接觸點通過通孔與第N+1個半導體結構層的金屬塊接觸；第N+1至第N+(m?1)個半導體結構層的引線端部的金屬塊分別通過各自上方層間介質層中的通孔連接至各自上方相鄰的半導體結構層的金屬塊。本發(fā)明在現(xiàn)有的測試結構基礎上，兼顧失效分析的需求，通過在引線上添加通孔及方塊金屬將每個測試單元結構連接到外圍電路的引線端引到樣品表面，提高研磨效率和研磨成功率，從而滿足最初始的電性分析，提高失效分析成功率和分析效率。
聲明：
“用于失效分析的測試結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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失效分析
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