本發(fā)明提出一種存儲(chǔ)單元失效分析的測(cè)試方法,包括:定義內(nèi)存區(qū)域,所述內(nèi)存區(qū)域中的內(nèi)存單元與
芯片上存儲(chǔ)單元數(shù)量及位置一一對(duì)應(yīng);對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行可調(diào)數(shù)值范圍內(nèi)的加壓,測(cè)量得到各存儲(chǔ)單元的閾值電壓,并將與閾值電壓相關(guān)的步進(jìn)值信息存入內(nèi)存區(qū)域?qū)?yīng)的內(nèi)存單元位置,直至所有存儲(chǔ)單元的閾值電壓都能測(cè)試得到;讀出內(nèi)存區(qū)域中的與閾值電壓相關(guān)的步進(jìn)值信息,生成數(shù)據(jù)文件;對(duì)數(shù)據(jù)文件進(jìn)行分析得到閾值電壓對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元位置的信息,同時(shí)能計(jì)算出整個(gè)存儲(chǔ)芯片閾值電壓分布的信息。本發(fā)明能很精確地進(jìn)行閾值電壓失效點(diǎn)的定位,提高了測(cè)試效率。
聲明:
“存儲(chǔ)單元失效分析的測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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