本申請(qǐng)公開(kāi)了一種字線電阻測(cè)試方法及三維存儲(chǔ)器失效分析方法,其中,所述字線電阻測(cè)試方法首先將三維存儲(chǔ)器的第一臺(tái)階區(qū)和第二臺(tái)階區(qū)的多根通孔連線暴露出來(lái),然后通過(guò)在第一臺(tái)階區(qū)形成連接金屬層的方式,將多根字線通過(guò)通孔連線和連接金屬層連接起來(lái),最后通過(guò)在第二臺(tái)階區(qū)測(cè)試每?jī)筛郎y(cè)連線的電阻,并根據(jù)測(cè)試獲得的第一測(cè)試電阻、第二測(cè)試電阻和第三測(cè)試電阻計(jì)算三個(gè)所述待測(cè)連線的電阻,也即得到了與這三根待測(cè)連線對(duì)應(yīng)的字線電阻,從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)三維存儲(chǔ)器中字線電阻的測(cè)量,為對(duì)三維存儲(chǔ)器進(jìn)行失效分析奠定了基礎(chǔ)。
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