本申請?zhí)峁┝艘环N失效點的定位方法及
芯片的失效分析方法。其中,芯片包括襯底和位于襯底的器件,該定位方法包括:對芯片的背面進行減薄處理至接近器件;對減薄處理后的芯片的背面進行離子束轟擊,以使得離子束穿過器件;以及對離子束轟擊處理后的芯片的正面進行電子束掃描,以定位芯片中的失效點的位置。該定位方法通過對減薄處理后的芯片的背面進行離子束轟擊,以使得離子束穿過器件并使器件中產(chǎn)生擊穿區(qū)域,從而在利用電子束對芯片的待測表面進行掃描時,待測表面上產(chǎn)生的表面電荷能夠從器件表面沿著擊穿區(qū)域被釋放掉,減少了表面電荷對器件表面電勢的影響,進而能夠精確地獲得器件中失效點的位置。
聲明:
“失效點的定位方法及芯片的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)