本發(fā)明實施例提供的半導(dǎo)體器件失效分析方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),通過物理檢測獲取正常半導(dǎo)體器件的目標檢測參數(shù),目標檢測參數(shù)包括正常半導(dǎo)體器件對應(yīng)失效半導(dǎo)體器件上的失效點區(qū)域的檢測參數(shù),其包括失效點區(qū)域的表面檢測參數(shù)、失效點區(qū)域的元素濃度檢測參數(shù)、失效點區(qū)域的剖面檢測參數(shù);然后將獲取到的目標檢測參數(shù)作為預(yù)設(shè)仿真算法的輸入?yún)?shù)輸入,通過預(yù)設(shè)仿真算法結(jié)合預(yù)測失效結(jié)果,從而得到失效半導(dǎo)體器件的失效原因。也即本發(fā)明實施例實現(xiàn)了對失效半導(dǎo)體器件失效原因的逆向分析,以真實的失效半導(dǎo)體器件作為直接的分析對象,分析結(jié)果為全面、準確。
聲明:
“半導(dǎo)體器件失效分析方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)