本發(fā)明涉及一種發(fā)光
芯片失效原因背面分析方法。該方法包括:S10、研磨拋光N電極上與光波導(dǎo)對(duì)應(yīng)位置的金屬陶瓷層,使光波導(dǎo)對(duì)應(yīng)位置的N電極裸露;S20、在N電極上設(shè)置測(cè)試連接點(diǎn),且測(cè)試連接點(diǎn)位于光波導(dǎo)在N電極的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外;S30、供電電路的正極連接P電極上的鍵合金屬線,供電電路的負(fù)極連接測(cè)試連接點(diǎn),供電電路提供供電電壓以使發(fā)光芯片發(fā)光;S40、使用光檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)發(fā)光芯片背面發(fā)出的光,根據(jù)獲取光確定發(fā)光芯片的失效區(qū)域。本發(fā)明解決了光芯片表面覆蓋金屬層導(dǎo)致失效現(xiàn)象無(wú)法顯現(xiàn)的問(wèn)題,提高光芯片失效分析的準(zhǔn)確率。
聲明:
“發(fā)光芯片失效原因背面分析方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)