本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓失效的分析方法及系統(tǒng)，所述晶圓失效的分析方法包括：分析芯片良率數(shù)據(jù)，獲取所述晶圓的失效區(qū)域；分析每個(gè)所述晶圓上所述失效區(qū)域的失效情況，獲取每個(gè)所述晶圓的晶圓區(qū)域良率；實(shí)現(xiàn)所述芯片良率數(shù)據(jù)、所述線上測(cè)試數(shù)據(jù)和所述電性測(cè)試數(shù)據(jù)坐標(biāo)的統(tǒng)一；在坐標(biāo)統(tǒng)一的情況下獲得選定區(qū)域中每個(gè)失效區(qū)塊的權(quán)重；根據(jù)所述權(quán)重獲取每個(gè)所述線上測(cè)試數(shù)據(jù)和所述電性測(cè)試數(shù)據(jù)的區(qū)域測(cè)量值；將所述區(qū)域測(cè)量值與所述晶圓區(qū)域良率做相關(guān)性分析，獲取所述晶圓的所述失效區(qū)塊的影響因素。通過(guò)本發(fā)明提供的一種晶圓失效的分析方法及系統(tǒng)，可提高分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。