本發(fā)明公開了一種失效分析定位方法，其屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)，包括：步驟S1，預(yù)先在所述重復(fù)性結(jié)構(gòu)區(qū)域設(shè)置一目標(biāo)區(qū)域；步驟S2，以所述目標(biāo)區(qū)域?yàn)橹行脑谒霰粶y芯片表面設(shè)置一點(diǎn)陣圖形，所述點(diǎn)陣圖形中的組成點(diǎn)的面積和所述組成點(diǎn)與所述目標(biāo)區(qū)域之間的距離成正相關(guān)；步驟S3，對所述目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行失效分析以定位所述目標(biāo)區(qū)域中的失效點(diǎn)，在進(jìn)行所述失效分析之前根據(jù)所述點(diǎn)陣圖形定位所述目標(biāo)區(qū)域。該技術(shù)方案的有益效果是：本發(fā)明能夠減少抓取失效點(diǎn)的時間，以便快速的進(jìn)行失效分析，提高了失效分析的效率，實(shí)現(xiàn)了對芯片上的重復(fù)性結(jié)構(gòu)區(qū)域中的失效點(diǎn)的快速定位與分析。