一種低k介電材料的失效分析方法,包括:對低k介電材料采用聚焦離子束定點(diǎn)切削與輔助電子束掃描進(jìn)行薄膜樣品制備;對薄膜樣品進(jìn)行透射電鏡成像;根據(jù)所述透射電鏡成像得到的材料形貌,進(jìn)行失效判定。本發(fā)明使用特定參數(shù)條件的聚焦離子束定點(diǎn)切削與輔助電子束掃描制備低k介電材料的薄膜樣品,并通過透射電鏡TEM成像獲得樣品形貌,根據(jù)樣品形貌進(jìn)行失效判定,因此本發(fā)明流程簡單,經(jīng)濟(jì)有效易于實(shí)現(xiàn),且判定準(zhǔn)確直觀。
聲明:
“低k介電材料的失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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