本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器
芯片的失效分析方法,包括:確定失效點(diǎn)所在的熱點(diǎn)區(qū)域;確認(rèn)存在漏電的字線;對(duì)所述存在漏電的字線施加偏壓,同時(shí)觀察位于所述熱點(diǎn)區(qū)域內(nèi)的位線的電壓襯度,直至尋找到所述熱點(diǎn)區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)異常電壓襯度的失效位線;對(duì)所述失效位線進(jìn)行失效分析。上述方法能夠提高失效分析效率。
聲明:
“存儲(chǔ)器芯片的失效分析方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)