本發(fā)明涉及一種
芯片失效分析過程中的剝層方法,包括如下步驟:(1)提供芯片,所述芯片具有多層結(jié)構(gòu),且包括至少一層目標分析層,所述目標分析層包括待分析區(qū)域;(2)利用離子束自所述芯片的表面開始進行剝層處理,去除所述目標分析層之上的一層或多層,露出所述待分析區(qū)域,即可,其中,所述離子束包括至少一束寬束離子束,束斑直徑不小于1mm。該剝層方法,采用至少一束寬束離子束形成的離子束,可獲得較為均一的剝層加工面,避免了單束的高能聚焦離子束直接打在芯片表面,造成目標分析區(qū)域的損傷,有效提高了剝層的精度,同時還擴大了加工范圍,剝層效率高。
聲明:
“芯片失效分析過程中的剝層方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)