本發(fā)明提供了一種柵氧層缺陷檢測(cè)方法及器件失效定位方法,在半導(dǎo)體襯底上形成柵氧層之后包括:以柵氧層為阻擋層對(duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行濕法刻蝕工藝;濕法刻蝕工藝所采用的刻蝕藥液對(duì)半導(dǎo)體襯底的刻蝕速率大于對(duì)柵氧層的刻蝕速率;檢測(cè)半導(dǎo)體襯底受到刻蝕藥液的腐蝕所產(chǎn)生的損失;基于半導(dǎo)體襯底的損失來分析柵氧層的缺陷。通過檢測(cè)出半導(dǎo)體襯底的損耗缺陷來分析柵氧層的缺陷,實(shí)現(xiàn)了對(duì)柵氧層缺陷和器件漏電的準(zhǔn)確和實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),及時(shí)發(fā)現(xiàn)漏電問題,克服了現(xiàn)有的發(fā)現(xiàn)缺陷問題滯后以及難以檢測(cè)的問題,并且節(jié)約了時(shí)間和成本。
聲明:
“柵氧層缺陷檢測(cè)方法及器件失效定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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