本發(fā)明公開了一種原子尺度下動態(tài)觀測III?V族場效應晶體管柵介質失效的方法,所述III?V族是指具有高遷移率材料銦砷化鎵。所述方法包括:制備適用于透射電子顯微鏡的樣品和納米鎢探針;將所制得的樣品搭載在專用銅網(wǎng)上,將原位樣品桿放入透射電子顯微鏡中;將納米鎢探針與樣品柵極接觸;然后在納米鎢探針和銅網(wǎng)之間加恒定電場;操作透射電鏡實時動態(tài)地觀測樣品形貌和電流變化過程;通過能譜進行局域化學元素分析,與未損壞之前的樣品的能譜信息做比較,分析失效原因。本發(fā)明能夠對器件失效的過程定點定量進行分析,找到失效的位置、狀態(tài)和其變化過程,分析器件的失效機理,得到解決措施。原位透射電鏡的方法無損,實時,有高分辨率,比其他光譜檢測先進。
聲明:
“原子尺度下動態(tài)觀測III-V族場效應晶體管柵介質失效的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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