本申請?zhí)峁┝艘环N通孔界面失效的測試結構、測試方法、裝置和半導體結構,該測試結構包括:半導體結構層,為單晶硅結構層和/或
多晶硅結構層;多個金屬部,包括第一金屬部和第二金屬部,第一金屬部通過第一金屬導電柱與半導體結構層電連接,第二金屬部通過第二金屬導電柱與半導體結構層電連接。該測試結構解決了現(xiàn)有技術中難以評估多晶硅?通孔界面或者單晶硅?通孔界面的可靠性的問題。
聲明:
“通孔界面失效的測試結構、測試方法、裝置和半導體結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)